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    • 专利摘要:
    本發明涉及一種使用濺射裝置的濺射方法，更詳細地涉及一種設定從濺射靶材的一側到另一側的整個掃描區間，並使磁體沿著所述整個掃描區間做正向和反向的連續多次往返運動，以掃描所述濺射靶材的濺射裝置的濺射方法。其特徵在於，將所述整個掃描區間分割為n個部分，並且為了將濺射靶材均勻侵蝕，使磁體在被分割成n個部分的所述整個掃描區間的部分區間移動。由此，提供一種通過濺射靶材的均勻的侵蝕，能夠提高濺射靶材的使用效率，且延長濺射靶材的更換週期，並可降低濺射工藝的製造成本的使用濺射裝置的濺射方法。
    公开号:TW201319292A
    申请号:TW101139070
    申请日:2012-10-23
    公开日:2013-05-16
    发明作者:Jai-Chun Lee
    申请人:Hydis Tech Co Ltd；
    IPC主号:C23C14-00
    专利说明:
    使用濺射裝置的濺射方法
    本發明涉及一種使用濺射裝置的濺射方法，更詳細地涉及一種將對整個濺射靶材的整個掃描區間的一部分作為區間的掃描區間依次適用於掃描濺射靶材底面的同時移動的磁體的掃描區間，由此提高濺射靶材的使用效率的使用濺射裝置的濺射方法。
    一般來說,濺射裝置為在半導體元器件用基板或液晶顯示裝置用基板上形成薄膜時廣泛使用的一種成膜裝置，在半導體元器件的製造或液晶顯示裝置的製造中被視為非常重要的裝置。第1圖是濺射裝置的示意圖。參照第1圖，濺射裝置在真空腔室101的內側配置有用來安置基板103的基座102和在基板103的相對面上作為蒸鍍源使用的金屬物質濺射靶材104。其中，濺射靶材104通過支承板（back plate）105固定，並供給將在基板103上形成薄膜的材料，而且沿著濺射靶材104的側面設置有接地遮罩（ground shield）106，沿著基板103和濺射靶材104之間的周邊部設置有掩膜107。在支承板105的底面通過規定的驅動裝置109結合有用於施加DC電源的磁體（magnet）108，所述磁體108可在濺射靶材104的左右方向移動。在如上狀態下，當向真空腔室101的內部注入惰性氣體氬氣（Ar），並對濺射靶材104施加DC偏壓時，惰性氣體成為離子化的等離子狀態，而且離子與濺射靶材104衝突，濺射靶材104釋放出原子並在基板103上形成薄膜。此時，磁體108如第2圖所示做左右方向的往返運動，並掃描濺射靶材104的同時供給磁場，以引導離子與濺射靶材104衝突。而在習知磁體108的掃描動作中，由於在濺射靶材104的左側端部和右側端部中需要降低掃描速度，因此與中央部相比停留時間長，當磁體108長時間停留時，磁體108的掃描區間D的左側端部和右側端部與中央部相比，在磁場中暴露的時間相對較長。即在濺射靶材103中，磁體108的暴露時間相對較長的左側端部和右側端部中產生的侵蝕比中央部產生的侵蝕相對較多。第3圖是第2圖的Ｉ-Ｉ向剖視圖。從第3圖中可看出，與最初設置時的濺射靶材A的厚度t1相比，在濺射靶材A的兩側端部中產生的厚度t3的侵蝕比中央部產生的厚度t2的侵蝕更多。結果是，設置在濺射裝置的濺射靶材中，與中央部相比，在左側端部和右側端部中產生相對集中侵蝕的部分，存在濺射靶材的使用效率下降的問題。而且，隨著濺射靶材的低使用效率，還存在濺射靶材的更換週期加快的問題。另外，隨著濺射靶材的更換週期的加快，存在製造成本增加的問題。
    本發明是為了解決如上所述以往問題而提出的，其目的是提供一種使用濺射裝置的濺射方法，該方法通過在濺射裝置中濺射靶材的均勻的侵蝕，能夠提高濺射靶材的使用效率，並延長濺射靶材的更換週期。而且，本發明的目的是提供一種使用濺射裝置的濺射方法，該方法通過延長濺射靶材的更換週期，能夠降低製造成本。本發明的目的可通過如下的本發明一實施例的使用濺射裝置的濺射方法來實現。本發明一實施例的使用濺射裝置的濺射方法，設定從濺射靶材的一側到另一側的整個掃描區間，並使磁體沿著所述整個掃描區間做正向和反向的連續多次往返運動，以掃描所述濺射靶材，其特徵在於，包括：原掃描步驟，以掃描方向為基準從所述濺射靶材的左側端部到右側端部將所述整個掃描區間區劃為n個部分，並設定分別以第p個部分和第n-p+1個部分為開始部分和結尾部分的原掃描區間，並使所述磁體將所述原掃描區間至少往返掃描一次，其中n為等於或大於4的整數，p為等於或大於1且等於或小於n/2的整數；及變更掃描步驟，在所述原掃描步驟後，設定分別以第q個部分和第n-q+1個部分為開始部分和結尾部分的變更掃描區間，並使所述磁體將所述變更掃描部分至少往返掃描一次，其中q 為等於或大於1且等於或小於n/2的整數，並且q≠p，所述變更掃描步驟至少執行一次。其中，在所述變更掃描步驟中，所述q為p-1或p+1。其中，當所述變更掃描步驟執行兩次以上時，將多個變更掃描區間的開始部分及結尾部分設定為互不相同。此外，上述目的通過本發明的另一實施例的使用濺射裝置的濺射方法來實現。本發明的另一實施例的使用濺射裝置的濺射方法，設定從濺射靶材的一側到另一側的整個掃描區間，使磁體沿著整個掃描區間做正向和反向的連續多次往返運動，以掃描所述濺射靶材，其特徵在於，包括以下步驟：設定被分割為 n個部分的所述整個掃描區間，其中n為正整數；設定將所述整個掃描區間中的至少一部分作為區間的多個正向掃描區間和多個反向掃描區間；設定分別由多個所述正向掃描區間和所述反向掃描區間組成的第一掃描週期和第二掃描週期；所述第一掃描週期如下：將所述n個的部分中的第一個部分和第p個部分分別設定為第一個正向掃描區間的開始部分和結尾部分，將所述n個部分中的第a個部分和第p+a-1個部分分別設定為第 a個正向掃描區間的開始部分和結尾部分，以此類推將多個正向掃描區間排列至p+a-1成為n為止，其中，1≦a≦n/2, （n/2）+1≦p﹤n, a、p為整數，所述第二掃描週期如下：按所述第一掃描週期中排列的多個正向掃描區間的倒序排列多個正向掃描區間，在所述第一掃描週期和所述第二掃描週期中構成的多個反向掃描區間分別以前一個正向掃描區間的結尾部分作為開始部分，以後一個正向掃描區間的開始部分作為結尾部分，以使磁體連續移動；所述第一掃描週期和所述第二掃描週期至少交替排列一次。此外，上述目的通過本發明的另一實施例的使用濺射裝置的濺射方法來實現。本發明的另一實施例的使用濺射裝置的濺射方法，設定從濺射靶材的一側到另一側的整個掃描區間，並使磁體沿著所述整個掃描區間做正向和反向的連續多次的往返運動，以掃描所述濺射靶材，其特徵在於，包括以下步驟：設定分割為n個部分的所述整個掃描區間，其中n為正整數；設定將所述整個掃描區間中至少一部分作為區間並交替排列的多個正向掃描區間和多個反向掃描區間；設定分別由多個所述正向掃描區間和多個所述反向掃描區間構成的第一掃描週期和第二掃描週期；所述第一掃描週期如下：將所述n個部分中的第一個部分和第n個部分分別設定為第一個正向掃描區間的開始部分和結尾部分，將所述n個部分中的第a個部分和第n-a+1個部分分別設定為第a個正向掃描區間的開始部分和結尾部分，當n為雙數時，將多個正向掃描區間排列到a成為n/2為止，當n為單數時，將多個正向掃描區間排列到(n-1)/2為止，其中1≦a≦n/2，a為整數，所述第二掃描週期如下：按所述第一掃描週期中排列的多個正向掃描區間的倒序排列多個正向掃描區間，所述第一掃描週期和所述第二掃描週期中的多個反向掃描區間分別以前一個正向掃描區間的結尾部分作為開始部分，以後一個正向掃描區間的開始部分作為結尾部分，以使磁體連續移動，所述第一掃描週期和所述第二掃描週期至少交替排列一次。其中，本發明的使用濺射裝置的濺射方法的特徵在於，在所述第一掃描週期和所述第二掃描週期交替排列時，進一步排列以先排列掃描週期的最後一個正向掃描區間的結尾部分作為開始部分，以後排列掃描週期的第一個正向掃描區間的開始部分作為結尾部分的反向掃描區間。另外，將所述n個部分中每個部分的寬度優選設定為實質上相同，將所述n個部分中每個部分的寬度優選設定為與濺射靶材的寬度實質上相同。根據本發明，提供一種在濺射裝置中提高濺射靶材的使用效率並可延長濺射靶材的更換週期的使用濺射裝置的濺射方法。而且，提供一種可通過延長濺射靶材的更換週期來降低製造成本的使用濺射裝置的濺射方法。
    在進行說明之前需要強調的是，在多個實施例中，對於具有相同結構的結構要素使用相同的圖式標記，並在第一實施例中進行代表性的說明，在其他實施例中說明與第一實施例不同的結構。下面，參照圖式詳細說明本發明第一實施例的使用濺射裝置的濺射方法。在本實施例中使用的濺射裝置可以與習知濺射裝置實質上相同，而且所使用的濺射靶材也與以往同樣地使用向一個方向較長地形成的靶材。第4圖和第5圖是在本發明的第一實施例的使用濺射裝置的濺射方法中使用的濺射靶材和磁體的平面圖。本發明第一實施例的使用濺射裝置的濺射方法如下。首先如第4圖所示，從濺射靶材10的左側到右側將掃描區間分割區劃為n個部分，其中掃描區間為磁體20移動的同時掃描濺射靶材10的區間，n是正整數。為了最大限度地提高濺射靶材10的使用效率，一般將整個掃描區間設定為從左側端部到右側端部，但根據需要，也可將濺射靶材10的一部分作為整個掃描區間。此時被區劃的各分割部分的寬度可以實質上相同，優選可以區劃為與磁體20 的寬度實質上相同。當各分割區劃部分的寬度與磁體20的寬度實質上相同時，在兩側端部上不存在因磁體而集中侵蝕的部分的重疊現象，由此可防止局部重疊部分中嚴重集中侵蝕的現象。接下來，在將磁體20設定為分別將第p個部分(p為1≦p≦n/2的整數)和第n-p+1個部分作為開始部分和結尾部分的原掃描區間L1後，使磁體在規定的時間內至少往返掃描一次原掃描區間L1，以掃描濺射靶材。其中，規定時間是可預先設定的時間。而且，在對原掃描區間L1掃描規定時間之後，如第5圖所示，在規定的時間內至少往返掃描一次將第 q個部分（q為1≦q≦n/2的整數，q≠p）和第n-q+1個部分分別作為開始部分和結尾部分的變更掃描區間L2（S30）。其中，q優選為p-1或p+1。即，為了最大限度地提高濺射靶材的使用效率，通過變更掃描步驟掃描的區間的開始部分優選選擇原掃描步驟的開始部分的最近部分。此時，將變更掃描區間L2掃描兩次以上時，優選使首次掃描的變更掃描區間的開始部分和第二次掃描的變更掃描區間的開始部分互不相同，並使首次掃描的變更掃描區間的結尾部分和第二次掃描的變更掃描區間的結尾部分互不相同，並進行往返掃描。下面舉出具體的例子說明如上所述的使用濺射裝置的濺射方法。示例1假定p=1，q=2，並掃描一次變更掃描區間，此時由於p=1, 如第6圖所示，原掃描區間L1的開始部分和結尾部分分別為第一個部分和第n個部分；由於q=2，如第8圖所示，變更掃描區間L2的開始部分和結尾部分分別為第二個部分和第n-1個部分。在如上設定的狀態下，如第6圖，使磁體在規定時間內至少往返掃描一次所設定的從第一至第n個部分的原掃描區間L1，以掃描濺射靶材10。第7圖是第6圖的Ⅱ-Ⅱ'向剖視圖。參照第7圖，當在規定時間內掃描原掃描區間L1時，在第一個部分和第n個部分中出現集中侵蝕的部分。而且，在規定時間內掃描原掃描區間L1後，如第8圖所示，使磁體在規定時間內在從第二至第n-1個部分的變更掃描區間L2至少往返運動一次，並以此掃描濺射靶材10。第9圖是第8圖的Ⅲ-Ⅲ'向剖視圖。參照第9圖，當在規定時間內掃描變更掃描區間L2時，在濺射靶材10的第二個部分和第n-1個部分中出現集中侵蝕的部分。即，在分開掃描原掃描區間L1和變更掃描區間L2後觀察濺射靶材10的厚度可知，由於第一個部分區間和第n個部分區間沒有包括在變更掃描區間L2內，因此在掃描變更掃描區間L2時，在濺射靶材10的第一個部分和第n個部分中幾乎沒有出現進一步的集中侵蝕。因此，能夠比以往分散整個靶材中集中侵蝕的部分，由此能夠提高濺射靶材的使用效率。示例2假定p=2，q=1，並掃描一次變更掃描區間，此時原掃描區間（第10圖的L1'）被設定成如第8圖的L2，變更掃描區間(第10圖的L2')被設定成如第6圖的L1，並掃描濺射靶材20。當在如上狀態下進行掃描時，如第10圖，在規定時間內掃描原掃描區間L1'後，在第二個部分和第n-1個部分中出現集中侵蝕的部分，而且在掃描變更掃描區間L2'後，在第一個部分和第n個部分中出現集中侵蝕的部分。於是，位於最外側的部分中經過一定時間後出現侵蝕，所以比中央部的侵蝕量相對較少，由此如前面說明的實施例，能夠分散整個靶材中集中侵蝕的部分，可進一步提高濺射靶材的使用效率。示例3假定p=1, q1=2, q2=3, 並反復掃描兩次變更掃描區間，此時如第6圖所示，原掃描區間L1的開始部分和結尾部分為第一個部分和第n個部分；由於q1=2，如第8圖所示，變更掃描區間的開始部分和結尾部分為第二個部分和第n-1個部分。而且，由於q2=3，如第12圖所示，變更掃描區間L3的開始部分和結尾部分為第三個部分和第n-2個部分。在此，如第一實施例，依次掃描原掃描區間L1和變更掃描區間L2。之後掃描以濺射靶材10上的第三個部分到第n-2個部分為區間的變更掃描區間L3。此時，如第13圖所示，由於濺射靶材10的第一、二個部分和第n-1、n個部分位於變更掃描區間L3的外側，所以幾乎不會出現進一步的集中侵蝕。本實施例的情況也如同如上說明的實施例，分散集中侵蝕的部分，由此能夠進一步提高濺射靶材的使用效率。上述實施例以最典型的例子進行了說明，而且根據需要可設定多個變更掃描區間，而且將各變更掃描區間的各開始部分及結尾部分設定為彼此不同，並在此狀態下掃描濺射靶材，由此可提高濺射靶材的使用效率。接下來，說明本發明第二實施例的使用濺射裝置的濺射方法。第14圖是在本發明第二實施例的使用濺射裝置的濺射方法中使用的濺射裝置的示意圖。參照第14圖，本發明的第二實施例也如同上述第一實施例，將掃描濺射靶材的整個掃描區間從濺射靶材的左側到右側分割區劃為n個部分（N是正整數）。而且，為了最大限度地提高濺射靶材10的使用效率，整個掃描區間設定為從左側端部到右側端部，但根據需要也可將濺射靶材10的一部分設定為整個掃描區間。而且，分割部分的寬度優選設定為與第一實施例實質上相同。根據本發明第二實施例的使用濺射裝置的濺射方法如下。在如上分割的狀態下設定以整個掃描區間中的一部分為區間的多個正向掃描區間和反向掃描區間。而且，由所設定的多個正向掃描區間和多個反向掃描區間分別構成第一掃描週期和第二掃描週期，並且將各掃描週期中的多個正向掃描區間和反向掃描區間交替排列。其中，在排列在所述第一掃描週期的多個正向掃描區間中，第一個正向掃描區間的開始部分和結尾部分分別為所述n個部分中的第一個部分和第p個部分，第a個正向掃描區間的開始部分和結尾部分分別為n個部分中的第a個部分和第p+a個部分。而且，直至最後一個正向掃描區間的結尾部分（p+a）成為n為止進行排列。在此，a、p為整數，而且其值的範圍是1≦a≦（n/2），（n/2）+1≦p＜n。排列在所述第二掃描週期的正向掃描區間的排列順序為排列在第一週期的多個正向掃描區間的倒序。而且，排列在第一掃描週期和第二掃描週期的多個反向掃描區間與如上排列的多個正向掃描區間交替排列，而且將前一個正向掃描區間的結尾部分作為開始部分，將後一個正向掃描區間的開始部分作為結尾部分，並在此狀態下連續移動磁體10。另外，所述第一掃描週期和第二掃描週期至少交替排列一次，並在此狀態下連續移動磁體。此時，可進一步排列反向掃描區間，以保證磁體掃描的連續性。所述反向掃描區間的開始部分為先排列掃描週期的最後一個正向掃描區間，結尾部分為後排列掃描週期的第一個正向掃描區間。參照第15圖具體說明如下。將掃描區間分割區劃為十個部分，分別由多個正向掃描區間和多個反向掃描區間組成，而且將所組成的正向掃描區間和反向掃描區間適當排列而設定第一掃描週期和第二掃描週期。在此，排列在所述第一掃描週期的正向掃描區間中的第一個正向掃描區間設定為其開始部分和結尾部分分別為十個部分中的第一個部分和第六個部分。而且，第二個正向掃描區間設定為其開始部分和結尾部分分別為十個部分中的第二個部分和第七個部分（6+2-1），第三個正向掃描區間設定為其開始部分和結尾部分分別為十個部分中的第三個部分和第八個部分（6+3-1）。以此類推依次設定正向掃描區間，而且由於區劃成十個部分，所以直至相當於結尾部分為第十個部分（6+5-1）的第五個正向掃描區間為止設定排列五個正向掃描區間。而且，第一掃描週期的反向掃描區間與所排列的多個正向掃描區間交替排列，並且將所述反向掃描區間設定為其開始部分為前一個正向掃描區間的結尾部分，其結尾部分為後一個正向掃描區間的開始部分。由此能夠保證磁體的連續掃描。所述第二掃描週期按照與所述的第一掃描週期倒序的方式排列正向掃描區間，並以相同的方法排列反向掃描區間。另外，第一掃描週期和第二掃描週期可交替排列一次以上，而且在交替排列時，可在第一掃描週期的最後一個正向掃描區間和第二掃描週期的最後一個正向掃描區間之間進一步排列反向掃描區間k。由此能夠實現磁體的連續掃描。當沿著如上排列的第一掃描週期和第二掃描週期移動磁體時，如第16圖所示，在磁體的移動速度降低的部分(開始部分和結尾部分)出現濺射靶材的均勻侵蝕，由此能夠提高濺射靶材的使用效率。接下來，說明根據本發明的第三實施例的使用濺射裝置的濺射方法。根據本發明第三實施例的使用濺射裝置的濺射方法，如同第二實施例，將整個掃描區間分割區劃為n個部分，並設定以整個掃描區間的一部分為區間的多個正向掃描區間和多個反向掃描區間。而且，設定分別以多個正向掃描區間和多個反向掃描區間構成的第一掃描週期和第二掃描週期。其中在所述第一掃描週期中，第一個正向掃描區間的開始部分和結尾部分分別為所述n個部分中的第一個部分和第n個部分，第a個正向掃描區間的開始部分和結尾部分分別為n個部分中的第a個部分和第n-a+1個部分。此時，在設定第a個正向掃描區間時，如果n為雙數，則直到a成為n/2為止進行設定排列，如果n為單數，則直到a成為（n-1）/2為止進行設定排列。其中，a是整數，值的範圍是1≦a≦（n/2）。在所述第二掃描週期中，按照與第一掃描週期中所排列的多個正向掃描區間的倒序排列多個正向掃描區間。而且，在第一掃描週期和第二掃描週期中構成的多個反向掃描區間分別與所排列的正向掃描區間交替排列。此時，可將前一個正向掃描區間的結尾部分作為開始部分，將後一個正向掃描區間的開始部分作為結尾部分，由此保證磁體的連續掃描。另外，所述第一掃描週期和第二掃描週期至少交替排列一次，從而使磁體連續移動。此時，如第二實施例，可進一步排列反向掃描區間，以保證磁體的掃描連續性。所述反向掃描區間的開始部分為先排列掃描週期的最後一個正向掃描區間的結尾部分，所述反向掃描區間的結尾部分為後排列掃描週期的第一個正向掃描區間的開始部分。第17圖是根據本發明第三實施例的濺射裝置的單位掃描區間的排列圖。參照第17圖具體說明如下。將掃描區間分割區劃為十個部分，並設定分別由多個正向掃描區間和多個反向掃描區間構成且適當排列所構成的正向掃描區間和反向掃描區間的第一掃描週期和第二掃描週期。其中，在排列在所述第一掃描週期中的正向掃描區間中，將第一個正向掃描區間設定為其開始部分和結尾部分分別為十個部分中的第一個部分和第十個部分。而且，將第二個正向掃描區間設定為其開始部分和結尾部分分別為十個部分中的第二個部分和第九個部分（10-2+1），將第三個正向掃描區間設定為其開始部分和結尾部分分別為十個部分中的第三個部分和第八個部分（10-3+1）。以此類推依次設定正向掃描區間，而且由於10為雙數，所以一直設定到開始部分為第五部分（10/2）為止，並排列五個正向掃描區間。而且，在第一掃描週期中的反向掃描區間與所排列的多個正向掃描區間交替排列，並且其開始部分為前一個正向掃描區間的結尾部分，其結尾部分為後一個正向掃描區間的開始部分。由此能夠保證磁體的連續掃描。所述第二掃描週期按照與上述第一掃描週期的倒序排列正向掃描區間，並以相同的方法，排列反向掃描區間。另外，第一掃描週期和第二掃描週期如同第二實施例，可交替排列一次以上，而且在交替排列時可在第一掃描週期的最後一個正向掃描區間和第二掃描週期的最後一個正向掃描區間之間進一步排列反向掃描區間k。由此能夠實現磁體的連續掃描。接下來，說明根據本發明第三實施例的變形例的使用濺射裝置的濺射方法。根據第三實施例的變形例的使用濺射裝置的濺射方法與第三實施例相比較，兩者的區別在於以單數分割區劃整個掃描區間，即n是單數。在第三實施例的變形例中，由於n為單數，因此在如實施例2設定第一掃描週期和第二掃描週期時，在第一掃描週期中將第a個正向掃描區間設定排列到（n-1）/2為止。其他結構與第三實施例相同，因此省略詳細說明。具體來說，參照第18圖，假定整個掃描區間被分割區劃為九個部分。此時，將第一掃描週期的最後一個正向掃描區間即第四個正向掃描區間的開始部分設定為第四部分（（9-1）/2），此時將結尾部分設定為第六部分（9-4+1）。而且，在交替排列第一掃描週期和第二掃描時，如上述第二實施例和第三實施例，可進一步排列額外的反向掃描區間k，由此保證磁體的連續掃描。設定如上所述的掃描區間，並使磁體沿著所設定的掃描區間移動掃描，就能實現濺射靶材的均勻侵蝕，結果能夠顯著地提高濺射靶材的使用效率。另外，隨著濺射靶材的使用效率的提高，能夠降低濺射工藝的製造成本。本發明的權利範圍並不局限於上述實施例，而在所附的申請專利範圍內可實現為多種形態的實施例。在不脫離申請專利範圍中要求保護的本發明精神的範圍內，本發明所屬技術領域中的技術人員均能變形的各種範圍也應屬於本發明的申請專利範圍。
    10．．．濺射靶材
    20．．．磁體
    第1圖是濺射裝置的示意圖。第2圖是在習知濺射方法中使用的濺射靶材和磁體的平面圖。第3圖是第2圖的Ｉ-Ｉ向剖視圖。第4圖和第5圖是在本發明的使用濺射裝置的濺射方法中使用的濺射靶材和磁體的平面圖。第6圖至第13圖是根據本發明的使用濺射裝置的濺射方法的實施例的濺射靶材的狀態圖。第14圖是在根據本發明第二實施例的使用濺射裝置的濺射方法中使用的濺射裝置的示意圖。第15圖是根據本發明的第二實施例的單位掃描區間的排列圖。第16圖是根據本發明的濺射方法使用的濺射靶材的侵蝕狀態圖。第17圖是根據本發明第三實施例的單位掃描區間的排列圖。第18圖是根據本發明第三實施例的變形例的單位掃描區間的排列圖。
    10．．．濺射靶材
    20．．．磁體
    权利要求:
    Claims (13)
    [1] 一種使用濺射裝置的濺射方法，設定從濺射靶材的一側到另一側的整個掃描區間，並使磁體沿著所述整個掃描區間做正向和反向的連續多次往返運動，以掃描所述濺射靶材，其特徵在於，包括：原掃描步驟，以掃描方向為基準從所述濺射靶材的左側端部到右側端部將所述整個掃描區間區劃為n個部分，並設定分別以第p個部分和第n-p+1個部分為開始部分和結尾部分的原掃描區間，並使所述磁體將所述原掃描區間至少往返掃描一次，其中n為等於或大於4的整數，p為等於或大於1且等於或小於n/2的整數；及變更掃描步驟，在所述原掃描步驟後，設定分別以第q個部分和第n-q+1個部分為開始部分和結尾部分的變更掃描區間，並使所述磁體將所述變更掃描部分至少往返掃描一次，其中q 為等於或大於1且等於或小於n/2的整數，並且q≠p，所述變更掃描步驟至少執行一次。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之使用濺射裝置的濺射方法，其特徵在於，在所述變更掃描步驟中，所述q為p-1或p+1。
    [3] 如申請專利範圍第1項所述之使用濺射裝置的濺射方法，其特徵在於，當所述變更掃描步驟執行兩次以上時，將多個變更掃描區間的開始部分設定為互不相同。
    [4] 如申請專利範圍第1項所述之使用濺射裝置的濺射方法，其特徵在於，將所述n個部分中每個部分的寬度設定為實質上相同。
    [5] 如申請專利範圍第1項所述之使用濺射裝置的濺射方法，其特徵在於，將所述n個部分中每個部分的寬度設定為實質上與濺射靶材的寬度相同。
    [6] 如一種使用濺射裝置的濺射方法，設定從濺射靶材的一側到另一側的整個掃描區間，使磁體沿著整個掃描區間做正向和反向的連續多次往返運動，以掃描所述濺射靶材，其特徵在於，包括以下步驟：設定被分割為 n個部分的所述整個掃描區間，其中n為正整數；設定將所述整個掃描區間中的至少一部分作為區間的多個正向掃描區間和多個反向掃描區間；設定分別由多個所述正向掃描區間和多個所述反向掃描區間組成的第一掃描週期和第二掃描週期；所述第一掃描週期如下：將所述n個部分中的第一個部分和第p個部分分別設定為第一個正向掃描區間的開始部分和結尾部分，將所述n個部分中的第a個部分和第p+a-1個部分分別設定為第 a個正向掃描區間的開始部分和結尾部分，以此類推將多個正向掃描區間排列至p+a-1成為n為止，其中，1≦a≦n/2, （n/2）+1≦p＜n, a、p為整數，所述第二掃描週期如下：按所述第一掃描週期中排列的多個正向掃描區間的倒序排列多個正向掃描區間，在所述第一掃描週期和所述第二掃描週期中構成的多個反向掃描區間分別以前一個正向掃描區間的結尾部分作為開始部分，以後一個正向掃描區間的開始部分作為結尾部分，以使磁體連續移動，所述第一掃描週期和所述第二掃描週期至少交替排列一次。
    [7] 如申請專利範圍第6項所述之使用濺射裝置的濺射方法，其特徵在於,在所述第一掃描週期和所述第二掃描週期交替排列時，進一步排列以先排列掃描週期的最後一個正向掃描區間的結尾部分作為開始部分，以後排列掃描週期的第一個正向掃描區間的開始部分作為結尾部分的反向掃描區間。
    [8] 如申請專利範圍第6項所述之使用濺射裝置的濺射方法，其特徵在於,將所述n個部分中每個部分的寬度設定為實質上相同。
    [9] 如申請專利範圍第6項所述之使用濺射裝置的濺射方法，其特徵在於,將所述n個部分中每個部分的寬度設定為與濺射靶材的寬度實質上相同。
    [10] 一種使用濺射裝置的濺射方法，設定從濺射靶材的一側到另一側的整個掃描區間，並使磁體沿著所述整個掃描區間做正向和反向的連續多次的往返運動，以掃描所述濺射靶材，其特徵在於，包括以下步驟：設定分割為n個部分的所述整個掃描區間，其中n為正整數；設定將所述整個掃描區間中至少一部分作為區間並交替排列的多個正向掃描區間和多個反向掃描區間；設定分別由多個所述正向掃描區間和多個所述反向掃描區間構成的第一掃描週期和第二掃描週期，所述第一掃描週期如下：將所述n個部分中的第一個部分和第n個部分分別設定為第一個正向掃描區間的開始部分和結尾部分，將所述n個部分中的第a個部分和第n-a+1個部分分別設定為第a個正向掃描區間的開始部分和結尾部分，當n為雙數時，將多個正向掃描區間排列到a成為n/2為止，當n為單數時，將多個正向掃描區間排列到(n-1)/2為止，其中1≦a≦n/2，a為整數，所述第二掃描週期如下：按所述第一掃描週期中排列的多個正向掃描區間的倒序排列多個正向掃描區間，所述第一掃描週期和所述第二掃描週期中的多個反向掃描區間分別以前一個正向掃描區間的結尾部分作為開始部分，以後一個正向掃描區間的開始部分作為結尾部分，以使磁體連續移動，所述第一掃描週期和所述第二掃描週期至少交替排列一次。
    [11] 如申請專利範圍第10項所述之使用濺射裝置的濺射方法，其特徵在於,在所述第一掃描週期和所述第二掃描週期交替排列時，進一步排列以先排列掃描週期的最後一個正向掃描區間的結尾部分作為開始部分，以後排列掃描週期的第一個正向掃描區間的開始部分作為結尾部分的反向掃描區間。
    [12] 如申請專利範圍第10項所述之使用濺射裝置的濺射方法，其特徵在於,將所述n個部分中每個部分的寬度設定為實質上相同。
    [13] 如申請專利範圍第10項所述之使用濺射裝置的濺射方法，其特徵在於,將所述n個部分中每個部分的寬度設定為與濺射靶材的寬度實質上相同。
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    US9982337B2|2018-05-29|
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    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    JPH05339726A|1992-06-11|1993-12-21|Matsushita Electric Ind Co Ltd|マグネトロンスパッタ装置|
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    US5873989A|1997-02-06|1999-02-23|Intevac, Inc.|Methods and apparatus for linear scan magnetron sputtering|
    JPH1143766A|1997-07-23|1999-02-16|Matsushita Electric Ind Co Ltd|薄膜形成方法及び装置|
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    TW573041B|2002-02-07|2004-01-21|Hannstar Display Corp|Method for improving performance of sputtering target|
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